Durante el evento Intel Connection Japan 2026, la compañía estadounidense sorprendió a la industria tecnológica al revelar el primer prototipo de su memoria Z-Angle Memory (ZAM), un proyecto conjunto desarrollado en colaboración con Saimemory, subsidiaria de Softbank.
Si bien no se presentaron muestras funcionales durante el evento, los ejecutivos de ambas compañías compartieron detalles prometedores sobre las ventajas térmicas y energéticas que esta nueva tecnología podría ofrecer frente a la memoria de alto ancho de banda tradicional, conocida como HBM.
Un Nuevo Enfoque para Resolver el Cuello de Botella Térmico
La propuesta de Intel y Saimemory resulta particularmente interesante en el contexto actual del mercado de memoria. Mientras los consumidores buscan opciones asequibles de memoria DDR, los grandes centros de datos han acaparado prácticamente toda la producción de HBM disponible.
Esta situación ha provocado que los fabricantes de memoria redirijan sus líneas de producción hacia HBM, afectando directamente el suministro de productos para consumidores como módulos DDR5 y unidades SSD NVMe.
Con ZAM, ambas compañías pretenden ofrecer una alternativa viable que podría abrir nuevas oportunidades de negocio para Intel, quien fue un actor importante en la fabricación de memoria hasta la década de los ochenta.
La tecnología emplea un apilamiento vertical con «interconexiones de cobre en ángulo Z», las cuales enrutan las conexiones de manera diagonal dentro del conjunto de chips de memoria.
Según los datos compartidos, esta configuración mejora notablemente la conductividad térmica al permitir la integración de un pilar térmico central que atraviesa los chips de memoria.
Especificaciones Técnicas y Ventajas Competitivas
De acuerdo con la información proporcionada por PCWatch, la memoria ZAM está diseñada específicamente para superar las limitaciones térmicas inherentes a los diseños de memoria plana tradicionales.
Gracias a su apilamiento vertical y su innovador sistema de gestión térmica, ZAM podría fabricar módulos de memoria con mayor capacidad que HBM, consumiendo menos energía y operando a temperaturas más bajas. Incluso existe la posibilidad de que su producción resulte más económica, aunque esta afirmación permanece sin verificar hasta que la tecnología entre en producción masiva.
Cabe destacar que aunque Intel figura principalmente como inversionista en esta empresa conjunta, la memoria ZAM aprovechará las tecnologías NGDB (Next Generation DRAM Bonding) de Intel. Estas tecnologías permitirán que ZAM funcione como un puente entre HBM y la memoria DRAM más tradicional, manteniendo eficiencias energéticas superiores.
Según el comunicado oficial de Intel, las operaciones están programadas para iniciar en el primer trimestre de 2026, con prototipos disponibles en 2027 y comercialización prevista para 2030.
Implicaciones Estratégicas para Intel
Este movimiento representa una señal clara de la diversificación estratégica de Intel, alejándose de su enfoque reciente en fabricación pura para adentrarse en espacios de diseño más amplios.
Sus instalaciones de fabricación en Estados Unidos buscan atraer más clientes para diseño y fabricación de terceros, y ZAM constituye un esfuerzo paralelo para aprovechar las tecnologías de Intel en el desarrollo de productos para otras compañías.
Todo esto ocurre tras los masivos recortes de personal bajo el nuevo CEO, Lip Bu-Tan, quien ha mantenido una relación compleja con la Casa Blanca, que finalmente adquirió una participación del 10% en Intel.
Una Apuesta a Largo Plazo
A decir verdad, el proyecto ZAM representa mucho más que una simple innovación técnica en el campo de la memoria. Se trata de una apuesta estratégica que podría redefinir el panorama de la memoria de alto rendimiento en los próximos años.
Sin embargo, con una comercialización prevista para 2030, aún queda un largo camino por recorrer antes de que podamos evaluar si las promesas de eficiencia térmica, mayor capacidad y menor consumo energético se materializan en productos comerciales viables.
Por el momento, la industria observa con atención este desarrollo, especialmente considerando la crítica escasez de memoria que afecta tanto a consumidores como a empresas en todo el mundo.
Fuente: igor´sLAB
